-PVD 물리 증착법 : 시간이 적게 드는 특징이 있다. (ex : 열증착, E-beam 증착법)
-CVD 화학 증착법 : 오래 걸리지만 박막을 표면에 고르게 증착시킬 수 있다.
1. ThermalEvaporator의 구조 및 설명
ThermalEvaporator의 설명
Evaporation의 방법으로는 thermalevaporation과 e-beam evaporation 그리고 이 둘을 조합하는 방법
실험에서는 CuInS2 박막이 S의 조성비율에 따라 전도성(n형,p형)이 크게 변한다고 알려져 있어 확실한 n형 또는 p형 CuInS2를 얻고자 하며, Cu/In 조성비율에 따라서도 저항률과 전도성의 변화가 보고되어 여러 가지 증착인자와 열처리 조건을 다양하게 변화시키고 구조적, 전기적 특성 측정을 통하여 최적의
Thermalevaporation)은 금속재료를 증착시키기 위해 고진공에서 전자빔이나 전기 필라멘트를 이용해 보트를 가열하는 방식으로 보트위에 있던 금속을 녹여 증류 시키는 방법 입니다. 이 때 증류된 금속은 진공속을 날아 차가운 웨이퍼 표면위에 응축시키는 방식입니다. 스퍼터링(Sputtering)은 이온 생성을 위
재료에 적용할 수 있다. 또한 증착속도가 빠르며 multiple deposition이 가능하다. 그러나, 단점으로는 E-beam이 금속과 부딪히면서 X-ray가 발생되어 기판을 손상시킬 수 있다.
이번 실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를
evaporation), 열 증착법(Thermalevaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거나 녹여 고체 상태로
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
가열함으로써 그 금속 입자를 증발시키면 차가운 물체 표면에 응축해서 부착하는 것을 이용하여 붙이는 방식이다. 이 때 시료를 가열하는 부분인 증발원의 재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰인다. 증발원에 전류를 흘려보내면 저항에 의해 가열이 되는데 이때 시료는 녹게 되고 결국
재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰인다. 증발원에 전류를 흘려보내면 저항에 의해 가열이 되는데 이때 시료는 녹게 되고 결국 증발하게 되는 것이다. 증발원 재료는 고온에서 증발원의 재료와 박막재료가 반응이나 확산을 일으키지 않는 재료를 사용하게 된다. 또한 녹는점이 높아야 하
Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feeder)에 충돌한다. 열전자의 높은 에너지 때문에 ing
thermal analysis)로 나눌 수 있다.
- DSC : sample 과 reference 의 온도를 변화시키면서 energy 입력차를 온도의
함수로서 측정
- TGA : sample의 온도를 변화시키면서 그 sample의 질량 변화를 온도의 함수로서 측정
- TMA : sample의 온도를 변화시키면서 load를 가해 그 sample의 dimension의 변화를 온도의 함수로서 측정
- DTA